|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 949 van 6662 gevonden artikelen
| Titel: |
Deep level defects in sublimation-grown 6H silicon carbide investigated by DLTS and EPR |
| Auteur: |
Irmscher, K. Pintilie, I. Pintilie, L. Schulz, D. |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 308-310 (2001) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 949 van 6662 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |